Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI5447DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
SI5447DC

SI5447DC-T1-GE3 Hakkında

SI5447DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 3.5A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, Surface Mount teknolojisi ile 8-SMD Flat Lead paketinde sunulmaktadır. Maksimum 76mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 1.3W güç yayılımı kapasitesi ile regülatör devreleri, switching uygulamaları ve güç dönüşüm sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, özellikle taşınabilir cihazlar ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir. Şu anda üretim durdurulmuş olsa da uyumlu çözümler mevcuttur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 76mOhm @ 3.5A, 4.5V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok