Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5445BDC-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5445
SI5445BDC-T1-GE3 Hakkında
SI5445BDC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source voltaj ve 5.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 33mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 1206-8 paketlemesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Açma voltajı 1.8V ve 4.5V arasında değişir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç yönetimi, motor kontrolü ve analog anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Dikkat: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) olup, yeni tasarımlarda alternatif komponent seçilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok