Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI5442DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 25A PPAK

Üretici
Vishay
Seri / Aile Numarası
SI5442

SI5442DU-T1-GE3 Hakkında

SI5442DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 25A sürekli dren akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK ChipFET Single paket tipinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (10mOhm @ 8A, 4.5V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. ±8V maksimum gate voltajı ve 900mV eşik voltajı ile hızlı komütasyon sağlar. Endüstriyel kontrol, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetim devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışma özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Single
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok