Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5441DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5441DC
SI5441DC-T1-E3 Hakkında
SI5441DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirir. 55mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimli enerji yönetimi sağlar. 8-SMD flat lead paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve batterili sistemlerde yaygın olarak kullanılır. ChipFET teknolojisine sahip bu transistör kompakt boyutu ve düşük parazit parametreleri ile modern elektronik tasarımlarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok