Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5441BDC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5441
SI5441BDC-T1-GE3 Hakkında
SI5441BDC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ile 4.4A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 45mOhm (4.5V Vgs'de) düşük kanaldan-kaynağa direnci ile enerji verimliliği sunar. ChipFET™ paket teknolojisi ve 8-SMD flat lead montaj şekli ile kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, batarya şarj devreleri ve motorlu cihazlardaki anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 1.3W'a kadar güç harcayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok