Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI5441BDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
SI5441

SI5441BDC-T1-E3 Hakkında

SI5441BDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 45mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 8-SMD 1206-8 pakette sunulan bu komponent, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, yük kontrolü ve analog anahtarlamalar gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazda kullanılabilen, 1.3W güç dağıtım kapasitesi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok