Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5440DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5440DC
SI5440DC-T1-GE3 Hakkında
SI5440DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source geriliminde 6A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, 19mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SMD paketinde sunulan SI5440DC, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 2.5W (Ta) güç tüketim kapasitesine ve 29nC gate charge değerine sahiptir. 10V gate voltajında tetiklenen bu transistör, gömülü sistemler ve endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 9.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok