Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5435BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5435
SI5435BDC-T1-E3 Hakkında
SI5435BDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 4.3A sürekli dren akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 45mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4.5V-10V drive voltage aralığında çalışabilir. Surface mount 8-SMD (1206-8 ChipFET™) pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arası ortam sıcaklıklarında çalışır. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında, özellikle güç anahtarlaması, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. Düşük gate charge (24nC @ 10V) hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok