Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI5433BDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
SI5433

SI5433BDC-T1-E3 Hakkında

SI5433BDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4.8A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde 37mOhm RDS(on) değerine sahip olup, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount 1206-8 ChipFET paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, batarya şarjı, LED sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi düşük voltaj uygulamalarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 1.3W güç saçabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 4.8A, 4.5V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok