Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5432DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5432DC
SI5432DC-T1-GE3 Hakkında
SI5432DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ile 6A sürekli drain akımına sahiptir. 8-SMD flat lead paketlemesi ile surface mount uygulamalarda kullanılır. 20mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. 1200pF input kapasitansi ve 33nC gate charge özellikleri hızlı anahtarlama operasyonlarına uygun kılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve analog anahtarlama devrelerinde uygulanır. ±12V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uyumluluğa sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok