Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5418DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Single
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5418DU
SI5418DU-T1-GE3 Hakkında
SI5418DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. PowerPAK® ChipFET™ Single paketinde sunulan bu bileşen, düşük 14.5mΩ (10V, 7.7A) on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. DC-DC konvertörler, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve diğer kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 3.1W (Ta) / 31W (Tc) güç dağıtım kapasitesi ile termal yönetimi optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 7.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok