Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5415AEDU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Single
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5415AEDU
SI5415AEDU-T1-GE3 Hakkında
SI5415AEDU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç kontrol uygulamalarında kullanılır. 9.6mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerPAK® ChipFET™ Single paket tipi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol, yük anahtarlaması ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. -50°C ile 150°C arasında çalışır. Bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok