Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5411EDU-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Single
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5411EDU
SI5411EDU-T1-GE3 Hakkında
SI5411EDU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajına ve 25A sürekli drain akımına sahip olan bu bileşen, PowerPAK ChipFET Single paketinde sunulmaktadır. 4.5V gate voltajında 8.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Gate charge değeri 105nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. -50°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç dönüştürme, motor kontrol, ses amplifikasyonu ve diğer anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bu transistör, surface mount montajı ile PCB entegrasyonunu kolaylaştırır. Ürün mevcut durumu itibariyle obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok