Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5410DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Single
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5410DU
SI5410DU-T1-GE3 Hakkında
SI5410DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ve 12A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama işlemleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. PowerPAK® ChipFET™ Single yüzey montajlı paket, kompakt devre tasarımlarına olanak tanır. Maximum 18mOhm Rds(on) değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel kontrol sistemleri, güç yönetimi, LED sürücüler ve portable cihazlar gibi uygulamalarda kullanılır. Gate charge değeri 32nC olarak belirtilmiştir. Ürün mevcut üretimde olmayıp obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok