Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5406DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5406DC
SI5406DC-T1-GE3 Hakkında
SI5406DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source geriliminde çalışan bu bileşen, 6.9A sürekli drain akımı sağlayabilir. 4.5V gate geriliminde 20mOhm on-dirençine (Rds On) sahip olup, 20nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Surface mount 1206-8 paketinde sunulan komponentin maksimum çalışma sıcaklığı 150°C, minimum -55°C'dir. 1.3W güç dağıtım kapasitesi ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle hızlı PWM denetim ve motor sürücü devrelerinde kullanılır. Vgs(th) threshold gerilimi 600mV olup, ±8V maksimum gate gerilimi toleransına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 1.2mA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok