Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5406DC-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5406DC
SI5406DC-T1-E3 Hakkında
Vishay SI5406DC-T1-E3, 12V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 6.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılan yükseltici, anahtarlama ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. 20mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4.5V ve 2.5V gate drive voltajlarında optimum performans gösterir. 1.3W maksimum güç yayılımı ve ±8V maksimum gate-source voltajı aralığında güvenli çalışma garantisinin verildiği, SMD paket tipi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 1.2mA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok