Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5406CDC-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5406CDC
SI5406CDC-T1-GE3 Hakkında
SI5406CDC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 6A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük on-state direnci (20mOhm @ 4.5V) ile verimli anahtarlama sağlar. 8-SMD flat lead paketinde sunulan ChipFET™ teknolojisi ürünü, gücü sınırlı uygulamalarda anahtarlama ve kontrol görevlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. SMD montaj türü sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok