Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI5404BDC-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
SI5404BDC

SI5404BDC-T1-GE3 Hakkında

SI5404BDC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesi ile 5.4A sürekli dren akımı sağlar. Surface Mount 8-SMD (1206-8 ChipFET) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (28mOhm @ 5.4A, 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışma sunar. 4.5V sürücü geriliminde optimize edilmiş tasarımı, -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanıma uygundur. Mobil cihazlar, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve PWM kontrolü gerektiren devrelerde tercih edilir. (Not: Bu ürün Obsolete (üretimi durdurulmuş) durumundadır.)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5.4A, 4.5V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok