Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI5404BDC-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
SI5404

SI5404BDC-T1-E3 Hakkında

SI5404BDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 5.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 28mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 4.5V gate sürücü gerilimiyle çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 1206-8 SMD paketinde sunulan ChipFET™ teknolojisi sayesinde kompakt tasarımlar mümkün kılınır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve maksimum 1.3W güç tüketebilir. Gate şarj kapasitesi 11nC'dir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5.4A, 4.5V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok