Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5403DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5403DC
SI5403DC-T1-GE3 Hakkında
SI5403DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirir. 10V gate voltajında 30mΩ RDS(on) değeri ile verimli enerji dağılımı sağlar. Surface Mount 8-SMD pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol devreleri, güç yönetimi, anahtarlama kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1340 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 7.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok