Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5402DC-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5402DC
SI5402DC-T1-E3 Hakkında
SI5402DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4.9A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 35mΩ on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 1206-8 ChipFET™ paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda yerini bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 1.3W maksimum güç dağılımı ile enerji verimli tasarımlar için uygundur. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük kapasitif yükü nedeniyle yüksek frekans uygulamalarına da adapte edilebilir. Not: Bu parça üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok