Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5402BDC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5402BDC
SI5402BDC-T1-GE3 Hakkında
Vishay SI5402BDC-T1-GE3, 30V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 4.9A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 35mOhm maksimum gate-source direnci (RDS-on) ile düşük güç kaybı sağlar. 1206-8 SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 20nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum güç tüketimi 1.3W'tır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok