Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5401DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5401DC
SI5401DC-T1-E3 Hakkında
Vishay SI5401DC-T1-E3, 20V drain-source gerilimi ile tasarlanmış P-channel MOSFET transistörüdür. 5.2A sürekli drenaj akımı ve 32mΩ on-resistance değerleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount 1206-8 ChipFET® paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve maksimum 1.3W güç tüketimi ile güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, pil şarj devreleri ve analog anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±8V Vgs ile kontrollenebilen gate voltajı, 25nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama devrelerine uygundur. Ürün tüketilmiş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok