Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4896DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4896DY
SI4896DY-T1-GE3 Hakkında
SI4896DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim dayanımı ve 6.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 16.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V gate gerilim dayanımı ile geniş uygulama alanlarında yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok