Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4894BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4894BDY
SI4894BDY-T1-E3 Hakkında
SI4894BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 11mΩ drain-source direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan SI4894BDY, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 1.4W maksimum güç dağılımı özellikleriyle endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1580 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok