Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4892DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4892DY
SI4892DY-T1-E3 Hakkında
SI4892DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda yer alır. 12mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. NOT: Bu ürün yaşam döngüsünü tamamlamış ve artık satılmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 12.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok