Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4890DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4890DY
SI4890DY-T1-E3 Hakkında
SI4890DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 12mΩ düşük on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve genel amaçlı DC kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel uygulamalara uygunluğunu artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok