Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4890BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4890BDY
SI4890BDY-T1-E3 Hakkında
SI4890BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 16A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 12mΩ düşük on-resistance değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarları ve hızlı anahtarlama gerektiren devreler için uygun olup, Rds(on) karakteristiği ve gate charge özellikleri sayesinde düşük güç kaybı ile yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1535 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok