Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4888DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4888DY
SI4888DY-T1-GE3 Hakkında
SI4888DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 7mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama performansı sunar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 4.5V ve 10V sürücü gerilimleri ile çeşitli kontrol sistemlerine kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok