Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4886DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4886DY
SI4886DY-T1-GE3 Hakkında
SI4886DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10mOhm düşük on-resistance değeri, verimli güç transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 8-SOIC yüzey monte pakete sahiptir. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. Hızlı anahtarlama özelliği ve düşük kapasitif yükü ile kompakt tasarımlara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok