Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4884BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4884BDY
SI4884BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4884BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 16.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile tasarlanmıştır. 9mOhm (10V, 10A) on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (35nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama gerçekleştirebilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1525 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok