Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4884BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4884
SI4884BDY-T1-E3 Hakkında
SI4884BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 16.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. 35nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlama regülatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur. Cihazın obsolete statüsü olduğu dikkate alınmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1525 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok