Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4880DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4880DY
SI4880DY-T1-GE3 Hakkında
SI4880DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 10V gate geriliminde 8.5mOhm'luk düşük RDS(on) direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletim sunar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi alanlarda uygulanır. Komponent şu anda üretimden kaldırılmış olup, mevcut stoklardan temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok