Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4876DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4876DY
SI4876DY-T1-E3 Hakkında
SI4876DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde 5mOhm on-resistance özelliği bulunmaktadır. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük güç tüketimi, 1.6W maksimum güç dağılımı özellikleri sayesinde anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı dijital uygulamalarda kullanılır. ±12V maksimum gate gerilimi ile güvenli çalışma imkanı sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 21A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok