Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4874BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4874BDY
SI4874BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4874BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybı düşüktür. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve ±20V maksimum gate voltajı ile geniş uyumluluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3230 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok