Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4866DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4866DY
SI4866DY-T1-GE3 Hakkında
SI4866DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source voltajı ve 11A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 5.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. 8-SOIC yüzeye monte paket tipinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma gösterir. Motor kontrolü, anahtarlamalı güç kaynakları, load switching ve diğer anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 17A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok