Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4866DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4866DY
SI4866DY-T1-E3 Hakkında
SI4866DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V Drain-Source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük açık direnç değeri (5.5mΩ @ 4.5V) nedeniyle güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motorlar, rölelerin kontrolü, güç dönüştürücüler, batarya yönetim sistemleri ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Gate gerilimi maksimum ±8V olup, 30nC gate yükü ile hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 17A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok