Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4866BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4866BDY
SI4866BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4866BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source geriliminde 21.5A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük on-dirençli (Rds On: 5.3mΩ) tasarımı sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışma sunar. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile tasarlanan SI4866BDY, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 2.5W güç dağıtabilir. Düşük kapı yükü (80nC) ile hızlı anahtarlamaya izin verir. Not: Bu bileşen yaşaması tamamlanmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5020 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 12A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok