Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4862DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 16V 17A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4862DY
SI4862DY-T1-GE3 Hakkında
SI4862DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 16V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 3.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. Gate charge değeri 70nC olup, 2.5V ile 4.5V drive voltajı aralığında çalışır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında işletilmesi mümkündür. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. Maksimum 1.6W güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 25A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok