Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4862DY-T1-E3

MOSFET N-CH 16V 17A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4862DY

SI4862DY-T1-E3 Hakkında

SI4862DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 16V Drain-Source voltaj ile 17A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 3.3mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Gate şarj miktarı 70nC @ 4.5V olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve analog anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 16 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 25A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok