Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4860DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4860DY
SI4860DY-T1-GE3 Hakkında
SI4860DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzeye monte paket içinde sunulan bu bileşen, 8mΩ RDS(on) değeri ile düşük on-dirençli çalışma karakteristiği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. 1.6W maksimum güç kaybı ve 18nC gate charge değerleri hızlı komütasyon işlemleri için uygun bir tasarım sunmaktadır. Lojik seviye sürücü gerilimi ile TTL/CMOS uyumludur. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın şekilde tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok