Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4858DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4858DY
SI4858DY-T1-E3 Hakkında
SI4858DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 13A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 5.25mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp karakteristiği sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara entegre edilir. Gate charge 40nC ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. Ürün üretimi sonlandırılmış olup, alternatif seçeneklerin incelenmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.25mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok