Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4850EY-T1
MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4850EY
SI4850EY-T1 Hakkında
SI4850EY-T1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 22mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate threshold gerilimi 3V'da (250µA'da) ölçülmüştür. Maksimum gate gerilimi ±20V'tur. Ürün günümüzde obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok