Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4850BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4850BDY
SI4850BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4850BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 8.4A (Ta) / 11.3A (Tc) sürekli drenaj akımı özellikleriyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 19.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetiminde ve PWM uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 2.5W (Ta) / 4.5W (Tc) güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Ta), 11.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok