Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4845DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4845DY
SI4845DY-T1-E3 Hakkında
SI4845DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET'tir. 20V drain-source gerilimi ve 2.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde 210mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Entegre Schottky diyot özelliği ile hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. 8-SOIC SMD paket içinde sunulur. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (4.5nC) ve düşük input kapasitansi (312pF) sayesinde hızlı ve verimli anahtarlama sunar. Ürün statüsü obsolete'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 312 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.75W (Ta), 2.75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok