Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4840DY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4840DY
SI4840DY-T1-E3 Hakkında
SI4840DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük on-direnci (9mΩ @ 10V, 14A) sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen SI4840DY, motor kontrolü, güç kaynakları, şarj devre kartları ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 1.56W güç tüketimi ve 3V threshold voltajı ile hızlı ve güvenilir anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok