Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4840BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4840BDY
SI4840BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4840BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 19A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılan bir half-bridge ve switching uygulamaları için tasarlanmış aktif bileşendir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. 9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devrelerinde ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 12.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok