Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4838DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4838DY
SI4838DY-T1-GE3 Hakkında
SI4838DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 12V dren-kaynak gerilimi ve 17A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde 3mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Surface mount 8-SOIC paket tipinde sağlanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. Düşük gate charge (60nC @ 4.5V) ve düşük on-resistance özelliğiyle hızlı komütasyon ve düşük güç kaybı sağlar. Motor kontrol, güç dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve düşük voltaj güç yönetimi devrelerinde kullanılır. RoHS uyumlu ve aktif ürün statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 25A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok