Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4838BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 34A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4838BDY

SI4838BDY-T1-GE3 Hakkında

SI4838BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V Drain-Source gerilimi ve 34A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.7mΩ (4.5V, 15A) düşük RDS(on) değeri, ısı yönetimi gerektiren yüksek akım devrelerde verimliliği sağlar. Surface Mount 8-SOIC paket biçiminde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, AC-DC güç kaynakları, güç dönüştürücüleri ve ağır yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5760 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 15A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok