Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4836DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4836DY
SI4836DY-T1-GE3 Hakkında
SI4836DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 12V Drain-Source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücüler gibi alanlarda kullanılmaktadır. 75nC gate charge değeri hızlı anahtarlamayı destekler. Uygulamalar için düşük RDS(on) ve geniş sıcaklık aralığı avantaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 25A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 400mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok